次世代半導体・通信の未来を拓く革新技術が集結！ ――「電子機器トータルソリューション展 2026」注目企業の見どころ

次世代の半導体や通信の未来を牽引する革新的な技術が一堂に会する「電子機器トータルソリューション展 2026」が開催されます。近年、AIの急速な普及や高速通信の進化に伴い、半導体パッケージにはこれまでにない高密度化や信頼性の向上が求められています。こうした業界共通の課題に対し、独自の材料開発や革新的なプロセス技術によって突破口を開こうとする企業の動きに注目が集まっています。本記事では、展示会に先駆けて、最先端の素材技術で次世代のものづくりを支える注目企業3社をピックアップしました。各社がどのようなアプローチで技術課題に挑み、どのような未来を描いているのか、その見どころを分かりやすくご紹介します。

次世代半導体チップの高密度３次元積層技術として、ウエハやチップを直接接合する「ハイブリッドボンディング」が世界的に注目を集めています。微細化や 3D 積層による高性能化に欠かせない技術とされる一方、接合時の熱ストレスをどのように低減するかが業界の課題となっていました。

こうした中、奥野製薬工業が開発したハイブリッドボンディング用硫酸銅めっき添加剤は、微細な結晶粒径を常温で長期間維持できるめっき皮膜が得られることを特徴としています。そして、微細粒径の結晶は200℃程度の低温の加熱で再結晶化・拡散が始まり、Cu-Cuハイブリッド接合が実現します。低温での銅の再結晶化・拡散による接合は、半導体の高密度３次元積層技術確立への貢献が期待されています。

半導体の高集積化とパッケージの大型化に伴い、基板の「反り」対策が極めて重要な課題となっています。こうした中、三菱ガス化学が展開する低熱膨張BT材料は、材料の物理特性によってこの課題を解決する中核技術として存在感を高めています。

BT樹脂はもともと高い耐熱性と電気特性に定評がありますが、本シリーズでは独自の配合技術により、平面方向の熱膨張係数（CTE）を極限まで低減。シリコンチップの熱膨張率に近づけることで、製造プロセスや使用環境下での歪みを最小限に抑えています。

この低熱膨張化は、チップの薄型化や多層化が加速する生成AI向けGPUや車載半導体において、接続信頼性を担保する不可欠な要素です。単なる絶縁材料の枠を超え、半導体システムの安定稼働を物理的な土台から支える技術として、今後の次世代パッケージング技術の進展に寄与することが期待されます。

AIやHPC（ハイパフォーマンスコンピューティング）の急速な発展に伴い、従来の樹脂基板に代わる次世代材料として「ガラス」が大きな注目を集めています。こうした中、日本電気硝子は、独自のガラスセラミックス基板「GCコア」や「ガラスコア基板」の開発を加速させています。

最大の特徴は、樹脂材では困難だった高い剛性と平坦性の両立です。大型化するチップの反りを抑制しつつ、微細な貫通電極（TGV）を高密度に形成できるため、信号伝送の高速化と低消費電力化に直結します。特に同社の技術は、従来のレーザー改質・エッチングだけではなく汎用性の高いCO2レーザーでの高速加工も可能なため、既存のCO2レーザー設備を活用できる点で、生産コストとスループットの課題を同時に解決する可能性を秘めています。

今回ご紹介した3社の技術は、半導体パッケージの高性能化や信頼性向上といった、業界の具体的な課題に真摯に向き合って開発されたものです。低温接合、低熱膨張化、ガラスの加工性向上など、アプローチはそれぞれ異なりますが、いずれも次世代の電子機器開発において着実な進展をもたらす可能性を秘めています。こうした素材やプロセスの進化を直に見ることができるのが、展示会の良さと言えます。各企業のブースでは、開発の背景や具体的な導入メリットについてさらに詳しい解説を聞くことができます。ご自身の業務や今後の開発におけるヒントを探しに、ぜひ会場へ足を運んでみてはいかがでしょうか。